2026年7月23日，国务院总理李强签署第842号国务院令，公布修订后的《集成电路布图设计保护条例》。该条例已于2026年7月10日经国务院第91次常务会议修订通过，自2026年10月15日起施行。

这是该条例自2001年颁布施行以来的首次系统性修订。25年磨一剑，这次修订究竟改了哪些关键内容？对芯片产业意味着什么？

一、保护范围首次扩容：光子、量子芯片纳入保护

此次修订最引人注目的变化，是将“集成光子、量子等功能的集成电路的布图设计”纳入条例保护范围。

2001年条例颁布时，立足当时产业发展实际，将保护对象聚焦于传统半导体集成电路。但25年过去，传统集成电路晶体管制程已趋近工艺与物理边界，光子、量子等颠覆性技术不断涌现，集成电路迈入以新架构、新机理、新材料为竞争主线的“后摩尔时代”。

实践中，光子芯片、量子芯片产品迭代周期进一步缩短，波导排布、量子比特布局、三维异构互连、版图拓扑优化等版图架构设计，越来越成为技术竞争的核心。若严格沿用传统集成电路定义，新型芯片的布图设计将面临确权依据不足、行政司法裁判标准不一等问题。

修订后的条例在沿用传统集成电路概念的基础上，明确规定对集成光子、量子等功能的集成电路布图设计予以保护。这一修改从立法层面为新型芯片的知识产权保护扫清了障碍。

二、独创性声明：让“独创性”不再“说不清”

“独创性”是布图设计获准登记、取得法律保护的实体要件。但修订前的条例虽然规定了“独创性”要求，实践中却很难通过申请登记程序具体指明、限定布图设计独创性的全部必要信息，导致“独创性”的内涵及外延模糊不清，判定成本相当高昂。

此次修订增加“独创性声明”要求，申请人必须提交书面文件，说明布图设计具有独创性的设计区域、设计要点以及相应功能。登记后，独创性声明存入官方档案，成为判断布图设计是否具备独创性的法定关键书证。

这一制度的价值在于：权利边界更加清晰，专有权人在后续程序中不能随意扩大保护范围；维权成本大幅降低，可有效降低与权利保护范围确定相关的举证与鉴定成本；商业运用更加便利，在转让、许可或质押中，受让人可清晰评估布图设计的实际技术价值和权利边界。

三、惩罚性赔偿：故意侵权最高5倍赔偿

修订前的条例对侵权赔偿的规定较为笼统。新条例参考《专利法》，明确赔偿数额可按照权利人实际损失、侵权人侵权所得或许可使用费的倍数确定。

更值得关注的是，新条例引入了惩罚性赔偿制度——“对故意侵犯布图设计专有权，情节严重的，可以在按照上述方法确定数额的1倍以上5倍以下确定赔偿数额”。

登记的布图设计通常包含较多独创性细节，新条例强化了登记申请文件要求，使得独创性部分比修订前更加容易查证。惩罚性赔偿制度的引入，对侵权人构成现实威慑——侵权成本不再是“毛毛雨”，而是可能付出数倍的代价。

四、程序完善：申请更规范、撤销更透明

新条例还在申请、审查程序方面作出多项完善：

Ÿ 规制虚假申请：规定布图设计登记申请应当以真实创作活动为基础，不得弄虚作假。

Ÿ 引入依请求撤销程序：修订前撤销程序限于国家知识产权局依职权启动，实践中第三方仅可提出撤销建议。新条例明确任何人发现登记不符合规定的，可以请求撤销布图设计登记。

Ÿ 增加权利恢复程序：当事人因不可抗拒事由延误期限导致权利丧失的，可以请求恢复权利。

此外，新条例还引入诚实信用原则，使其贯穿布图设计申请、权利行使全过程；并新增法人或非法人组织对创作人员给予合理奖励和报酬的规定。

修订的意义：为芯片创新筑牢法律屏障

总体上看，此次修订在很大程度上提高了我国集成电路布图设计的保护水准。它不仅回应了光子、量子芯片等前沿技术的保护需求，更通过独创性声明、惩罚性赔偿等制度设计，构建起一套从申请确权到侵权追责的完整保护链条。

自2022年起，我国含有光子、量子器件的集成电路布图设计登记申请数量开始增多，2024年后呈现出规模申报的趋势。修订后的条例将与时代同频共振，进一步发挥布图设计专有权的保护优势，激励创新主体设计热情。

对芯片设计企业而言，新条例既带来了更完善的法律保护，也提出了更高的合规要求——独创性声明怎么写、权利边界如何界定，都是需要认真对待的新课题。

对侵权者而言，新条例传递的信号再明确不过：在芯片这个关键赛道上，法律的“护城河”正在加宽加深。

赛立信知识产权研究院